1.本科及以上學(xué)歷，碩士/博士及學(xué)歷優(yōu)先，半導(dǎo)體物理、微電子或電子工程相關(guān)專業(yè),了解半導(dǎo)體物理及集成電路設(shè)計原理；具備扎實的半導(dǎo)體功率器件基本原理知識，2.熟練掌握功率MOS芯片設(shè)計技術(shù)及光刻版設(shè)計技術(shù)；深刻理解芯片結(jié)構(gòu)參數(shù)與電學(xué)性能(導(dǎo)通電阻/雪崩電壓/開關(guān)速率)的關(guān)聯(lián)機制；3.功率器件(TrenchMOS/SGT/SJ)器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和仿真模擬驗證；具有600V以上功率MOS超結(jié)結(jié)構(gòu)芯片，功率器件驅(qū)動芯片設(shè)計經(jīng)驗，具有成功流片形成芯片產(chǎn)品的經(jīng)驗者優(yōu)先。4.能夠熟練運用sentaurus、silvaco、MEDICI等功率芯片設(shè)計軟件，以及Virtuoso、Ledit等光刻版設(shè)計軟件；5.主導(dǎo)功率MOS芯片的TCAD仿真設(shè)計，構(gòu)建cell單元及終端結(jié)構(gòu)電學(xué)模型；根據(jù)市場端需求精準(zhǔn)定義器件參數(shù)，通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新實現(xiàn)產(chǎn)品性能突破6.與Fab廠家共同建立工藝流程，以確保產(chǎn)品參數(shù)、可靠性及工藝窗口達到設(shè)計指標(biāo)；7.負(fù)責(zé)項目進度跟進、數(shù)據(jù)整理分析、失效分析、工程報告，根據(jù)需求進行產(chǎn)品優(yōu)化升級設(shè)計、性能改善芯片及良率提升；良好的數(shù)據(jù)分析及總結(jié)能力，良好的英文溝通及閱讀能力。8.具備創(chuàng)新思維和創(chuàng)造力，能夠提出新穎的想法和解決方案；配合研發(fā)項目的專利申請及相關(guān)文件編寫。